世界十大半导体科学家及其主要成就如下：

威廉·肖克莱（William Shockley）

1910年2月13日生于英国伦敦，美国物理学家，美国艺术与科学学院、电气与电子工程师协会高级会员。肖克利是晶体管的发明人之一，1947年他与约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿共同发明了点接触型锗晶体管，并因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。

约翰·巴丁（John Bardeen）

1908年5月23日生于威斯康星州麦迪逊城，美国物理学家。巴丁的研究领域包括半导体器件、超导电性和复制技术。他与肖克利和布拉顿共同发明了晶体管，并因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。此外，巴丁还在1972年因提出低温超导理论（BCS理论）而获得诺贝尔物理学奖。

沃尔特·布拉顿（Walter Houser Brattain）

1902年2月10日生于中国厦门市，美国物理学家，美国科学院院士。布拉顿长期从事半导体物理学研究，发现半导体自由表面上的光电效应。他与肖克利和巴丁共同发明了晶体管，并因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。

杰克·基尔比（Jack Kilby）

1923年生于美国密苏里州杰弗逊城，美国工程师。1958年9月12日，基尔比发明了世界上第一块集成电路，成功地实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想，并因此获得了2000年的诺贝尔物理学奖。

罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）

1927年12月生于美国爱荷华州，美国企业家。诺伊斯与同伴自行创办了仙童半导体公司，并担任总经理一职。1968年，他与戈登创办了著名的英特尔（Intel）公司，诺伊斯出任总经理。诺伊斯的发明和商业活动推动了半导体技术的商用化。

王占国

1938年12月29日出生于中国河南省镇平县，世界著名的半导体材料物理学家。王占国在半导体材料和材料物理领域取得了杰出的成就，为中国两弹一星事业做出了贡献。

胡正明

1947年7月出生于中国北京，美国籍，加州大学伯克利分校工程学教授，发明鳍式场效晶体管（FinFET）和超薄绝缘层上硅体技术（FD-SOI）。

米玉杰

中国籍，台积电研究发展组织技术发展资深副总经理，负责研发多种新结构器件。

这些科学家在半导体领域的杰出贡献，不仅推动了技术的进步，也为现代电子和信息技术的普及和发展奠定了基础。